自 Zen 处理器成功抢得 Desktop CPU 及 Notebook 市场不少市佔之后，AMD 已经开始挑战 「Mini-PC」这个市场，而不少基于 Ryzen 系列 CPU/APU 的 Mini-PC 亦陆续卖街，最新一位名为

的网友在早前 AMD 一份专利申请中，发现 AMD 在 9 月份正式为

「Project Quantum」Mini PC 取得专利

现时要喺电脑打 PC Game 储存容量真係少啲都唔够，之前有玩家就表示《CALL OF DUTY：现代战争》嘅文件大到唔支援只有 250GB 容量嘅 SSD，为此 CORSAIR 最新就推出「MP400」Gen3 PCIe x4 NVMe M.2 SSD，具有高达 3,400MB/s 连续读取及3,000MB/s 连续写入速度，採用 3D QLC NAND 技术可储存海量资料，备有 1TB、2TB、4TB 及最大 8TB 储存容量，可满足对储存容量有高需求的玩家。

CORSAIR 全新的「MP400」M.2 SSD 採用 M.2 2280 工业标准的 NVMe 外形设计，可方便地直接插入主机板，具有更好的相容性和高频宽性能，同时其高密度 3D QLC NAND 记忆体比上一代 TLC NAND 更有价值，能够在相同的物理空间中储更多资料，提供了1TB、2TB、4TB 及 8TB 储存容量可供选择。

全球领先的玩家生活潮流品牌 Razer 今日宣佈推出一系列拥有顶级游戏效能及完全行动自由的旗舰级无线周边装备：Razer BlackShark V2 Pro、DeathAdder V2 Pro 及 BlackWidow V3 Pro。玩家可以不受电线束缚下畅玩游戏，以Razer HyperSpeed 无线技术保持稳定、极速的连接。

Razer周边设备业务资深副总裁张承志表示：「我们每次推出新产品时，粉丝们总是要求推出无线本版。我们採用Razer HyperSpeed 无线技术于三款最受欢迎的游戏装备，回应社群对完全无线设置的渴求 — 在性能表现上毫不妥协。」

Razer HyperSpeed 无线技术採用最佳化滑鼠网路传输及自适应跳频技术，增加传送速度及稳定性，提供195μs的最低无线延迟度，比其他无线技术快 25%。配备Razer HyperSpeed的滑鼠经过顶尖电竞选手的测试与认证，Razer HyperSpeed现已植入于Razer旗舰级电竞耳机及最受欢迎的游戏键盘。

继去年推出「Mars 战神」电竞檯之后，Cougaur 在早前带嚟咗另一款「Mars 120 战神」电竞檯，今个十月，代理商 Altech Computer 就将「Mars 120 战神」正式引入香港市场，并推出咗【Cougar MARS 120 电竞檯?10 月重量级优惠】益用家，现凡喺 10 月 Cougaur Mars 120 电竞檯 Altech Computer 就会将 Cougar Armor One Sky Blue 电竞椅、Cougar AURORA 键盘同埋 Cougar Minos XC 滑鼠套装送埋畀你，礼品加埋总值 HK$2,277，好抵啊！

COUGAR「Mars 120」电竞檯的表面用上碳纤维纹理耐刮材质，充裕的空间宽度达 120cm，可放置电竞屏幕、键盘、滑鼠、大型鼠垫与其它电竞装备，并搭配符合人体工学设计的曲线弧形桌面边缘，提供舒适的游戏体验，「Mars 120」的右侧提供了多功能控制台，可轻鬆控制 ARGB 灯光并连结电脑 USB 极速传输接口与音源/麦克风接口，使其成为所有游戏设备的连接中心。

目前，AMD 及 Intel 都双双部署全新「DDR5 计划」，如无意外的话最快在明年就会有支援 DDR5 记忆体的非消费级平台推出，作为全球三大 DRAM 半导体厂之一的 SK Hynix 在今日宣佈正式推出全球首款 DDR5 DRAM 产品，率先推出的初版 DDR5 DRAM 支援 4800 ~ 5600 Mbps 的传输速度，比上一代初版的 DDR4 快 1.8 倍，频宽也高达 4 1.6GB/s，工作电压亦降至 1.1V， 配合 TSV 封装能够组成容量高达 256GB 容量的 DDR5 模组。

早在 2018 年 11 月 SK Hynix 已成功开发旗下首款 16Gb DDR5 DRAM，及后 SK Hynix 与 System On Chip 开发公司等不同企业共同运营现场分析研究室，并通过共同执行系统级别测试（System Level Test）及各种模拟测试完成了新产品的性能验证。与此同时，SK Hynix 还与多间公司紧密合作，进行了包括 RCD 2 )、PMIC 3 ) 等构成模组的主要部件的兼容性验证，在经过各种验证及相容性测试后，目前已经可以推出市场。

根据官方的资料显示，SK Hynix 最新推出的全球首款 DDR5 DRAM 产品基于 1Ynm 製程 ( 相当于 14nm 至 16nm ) 的 16Gb DDR5 DRAM 晶片，用上 TSV ( through-silicon-via ) 封装技术可大幅增加 DDR5 的容量，单条最高可达到 256GB 容量。不仅如此，全新 DDR5 的产品工作电压亦由上代 DDR4 的 1.2V 降到 1.1V，成功减少了 20% 的功耗。